Samsung izstrādā trīs Z-NAND atmiņas variācijas mērķēta AI

Samsung izstrādā trīs specializētus Z-NAND atmiņas variantus — Z-NAND-O, Z-NAND-T un Z-NAND-I —, kas katrs paredzēts atšķirīgām AI infrastruktūras darba slodzēm.

ZDNet ziņoja par šo izstrādi, norādot, ka augustā ASV notikušā atmiņas tehnoloģiju nozares pasākumā bija apskatāms Z-NAND-O makets. Oriģinālais materiāls publicēts 2026. gada 12. oktobrī, un tā autors ir Min-jun Kim.

Z-NAND-O izmanto caursilīcija savienojumu (TSV) tehnoloģiju, lai NAND mikroshēmas vertikāli sakārtotu četros vai astoņos slāņos. Samsung norāda, ka Z-NAND-O mērķis ir uzlabot datu pārraides ātrumu un energoefektivitāti ierīcēs darbinātām AI sistēmām, piemēram, mobilajās un citās savienotajās ierīcēs.

Z-NAND-T galvenais uzsvars likts uz caurlaidspēju un joslas platumu. Tā paredzēta augstas veiktspējas AI datu centriem, kuriem efektīvi jāpārvieto lieli datu apjomi.

Z-NAND-I prioritāte ir ievades/izvades operāciju skaits sekundē (IOPS), kas raksturo, cik daudz atsevišķu lasīšanas un rakstīšanas operāciju atmiņa spēj apstrādāt.

Samsung pagaidām nav oficiāli paziņojis pilnu produktu klāstu, specifikācijas vai šo trīs variantu izlaišanas termiņus.

Šāda trīsvirzienu pieeja liecina, ka Samsung plāno NAND tehnoloģiju pielāgot konkrētām AI darba slodzēm, nevis paļauties uz vienu universālu risinājumu.

SK Hynix īsteno līdzīgu stratēģiju ar AI-NAND saimi, kurā ietilpst AIN P veiktspējai, AIN D uzglabāšanas blīvumam un AIN B joslas platumam.

AI infrastruktūrai turpinot paplašināties, pielāgota NAND atmiņa var kļūt arvien nozīmīgāka līdzās tradicionālajiem atmiņas un datu glabāšanas risinājumiem.