Samsung piekrita Nvidia lūgumam daļu uzņēmuma pielāgotās augstas joslas platuma HBM4E atmiņas, kas tiek tirgota ar nosaukumu NVHBM, ražot, izmantojot TSMC 3 nanometru procesu.

Nvidia lūguma apjoms un NVHBM loma

Nvidia lūdza saviem trim galvenajiem HBM piegādātājiem daļu atmiņas komponentu ražot, izmantojot TSMC 3 nm litogrāfiju, lai nodrošinātu vienādu veiktspēju un vienkāršotu testēšanu starp piegādātājiem. Apspriestās mikroshēmas ir pielāgotas HBM4E atmiņas ierīces, ko Nvidia marķē kā NVHBM un kas paredzētas izmantošanai uzņēmuma mākslīgā intelekta infrastruktūrā.

  • Micron
  • SK hynix
  • Samsung

Plākšņu ražošanas sadalījums un Samsung iekšējais process

Lai gan daļa NVHBM plākšņu tiks ražota, izmantojot TSMC 3 nm procesu, pārējās atmiņas slāņu komponentes Samsung ražos savās rūpnīcās, izmantojot uzņēmuma sestās paaudzes litogrāfijas procesu 1c. Samsung iepriekš jau sadarbojies ar TSMC mikroshēmu iepakošanā, taču tas, ka TSMC uzņemas Samsung izstrādātās atmiņas plākšņu ražošanu, ir bezprecedenta solis Samsung ražošanas vēsturē.